提高氢氧化镁的分散性

为了考察改性对氢氧化镁晶体生长的影响，有学者就改性前后氧化镁XRD作了对比谱图，从中可知，原位改性后的氧化镁平均晶粒尺寸均比未改性化镁显减小，分别为18.59(001)和22.93(101)。这表明硅烷偶联剂在氢氧化镁晶粒生成后接枝在氢氧化镁晶粒的表面，对氢氧化镁晶粒生长产生影响，造成晶体结构被破坏，氢氧化镁晶粒之间发生粘连团聚。同时对比改性前后I001/I101可以发现，改性后的I₀₀₁/I₁₀₁显著变小，这将影响合成出的氧化镁添加进材料后在材料中的分散性。原位改性后的氧化镁表面实现了高水性硅烷偶联剂-十二烷基三甲氧基硅烷用量为2.0%时，氢氧化镁活化指数达到99%以上；而氢氧化镁的晶体生长过程中，改性对氢氧化镁晶体生长影响较大，造成晶体结构破坏，晶粒之间发生粘连团聚。而通过硅烷偶联剂接枝在氢氧化镁的表面，减少了粒子团聚的发生，提高了氢氧化镁的分散性。