硅微粉的杂质过多，除了会光致衰减外，还会造成漏电流的增加。在电池的PN结附近，有一个空间电荷区，这个电荷区的电流正常情况下，应当是光生电流，即受光照后，载流子跃迁产生的电流，但金属杂质过多时，因为金属杂质的原子外围的电子是自由电子，因此，会产生漏电流，这些漏电流过大时，可能导致 PN结的导通。目前国内外许多专家认为铝的能级不是深能级，铝与硼是同一族的元素，还能够被用作P型的掺杂元素。事实上：在N型材料的电池中，也确实有用铝作为 P型结扰散形成 PN结的。实际上，因为物理法提纯时，铝是金属杂质中比较难除的一种杂质。因为铝在硅微粉中的分凝系数约在0.1左右，比铁等其它金属要大得多，所以，分凝对铝的作用比较有限。因此，在物理法冶金硅中，铝往往是最后被去除的几种金属杂质之一。
