由于多晶硅微粉材料中的杂质成分较复杂，其中不少杂质会与氧发各种各样的复合作用。比较为多人知道的是硼氧复合体，这目前被专家认为是治金法多晶硅微粉材料电池衰减的主要原因。氧与铁、铝都会发生一些作用，形成载流子复合中心，或者因氧与某些杂质的复合物造成的沉淀导致最格缺陷，而影响少子寿命，这些造成衰减的可能性更加大些。采用退火工艺可以减少氧的副作用，氧沉淀的产生减少了氧在硅中的固溶度，从而也减少了氧的浓度。但是，实际的机理应当有待于更翔实的分析。不过，研究表明，只要氧浓度低于15ppmw，硅中可以不会生成氧淀。由子氧的外层只有两个电子，因而有理论认为氧也是施主元素，而且，在某些温度范围内可以有效地生成热施主。但虽然试验中观案到了氧的热施主的施主杂质能级。但对于热施主的形成的原子结构和形态则完全没有解决。
