硅微粉沉积时的温度和真空度过高都会提高Si 膜的折射率，但是同时也会导致吸收系数的提高，这种现象在可见光波段比较明显，而在红外波段非常微弱。目前光学薄膜制备中膜料硅微粉的沉积温度大多在100℃~400℃之间，真空度多在3×10- 3 Pa～1×10- 2 Pa 左右。为了兼顾与Si 配合的低折射率材料的沉积条件，防止残余气体对硅微粉 的氧化作用，选择一个相对较低的温度185℃作为沉积温度，选择相对较高的真空度3×10-3 Pa 作为沉积时的真空度。采用石墨坩埚经过试验，调整电子枪的参数，可以获得Si 较为稳定的沉积速率。沉积速率越高,所得薄膜折射率越高, 消光系数越大，而沉积速率过低会导致薄膜致密性差。经过光谱测试和薄膜强度测试，发现将Si 的沉积速率设定为0.2 nm/s 时Si 膜的消光系数较低、薄膜致密性较好。
