物理法多晶硅微粉，又称UNG ，其金属杂质含量通常在几个ppm以上，以原子浓度来说，都在每立方厘米10的16次方、甚至10的17次方以上。其实，经过调查，针对硅微粉的金属杂质的表现，目前还没有一个统一的认识。有学者对国际上关于物理法多晶硅微粉中的杂质问题的学术研究作了一个比较全面的汇总。金属杂质的存在，才是所制成的大阳能电池会衰减的必要条件。目前国际比较流行的看法是因为硼氧复合体的存在。金属杂质在硅中会形成深能级，就是，距离导带和价带都很远的能级。这些深能级距离导带和禁带都很远，所以不但这些杂质本身的能级对提高导电性没有什么关系，而且，一旦其它的浅能级（如磷或硼）载流子遇到这类深能级的杂质，会被劫持住，从而影响效率。
