如果 硅微粉 中有铝存在,而且浓度在0. 1ppm 以上的时候,铝会与硼一样,对电阻率的下降做出责献。假如。硅微粉中含有 0.3ppm 的硼,电阻率假如是0.5欧姆厘米,而同时又有 0.3ppm 的铝,可能会
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硅微粉 的杂质过多,除了会光致衰减外,还会造成漏电流的增加。在电池的PN结附近,有一个空间电荷区,这个电荷区的电流正常情况下,应当是光生电流,即受光照后,载流子跃迁产生的电
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金属杂质在 硅微粉 中会形成深能级,就是距离导带和价带都很远的能級,当杂质过多,导带和价带就会距离过远:硅微粉中金属杂质的情形与此相似,金属杂质会在硅中形成深能级,这些深能
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磷和硼在 硅微粉 里是比较突出的杂质组成部分,比例恰当可以充分发挥最大导电性,同时杂质配比过多则会导致转型现象,导致电阻率下降。将纯硅微粉里掺硼的P型料,和纯硅摻杂球的N型科
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对于物理法提纯的 硅微粉 来说,除了磷和硼会同时存在外,还有铁、铝、钙等金属杂质,即便是化学提纯,也能通过加工的时候混入其他杂质,也会出现复杂的情况。同时,对于一些采用电子
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物理法多晶 硅微粉 ,又称UNG ,其金属杂质含量通常在几个ppm以上,以原子浓度来说,都在每立方厘米10的16次方、甚至10的17次方以上。其实,经过调查,针对硅微粉的金属杂质的表现,目前还
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定向凝固可以完全消除金属杂质吗?说到 硅微粉 中金属杂质的去除,许多从事过冶金法或物理法提纯多晶硅的人都认为,通过定向凝固就可以把金属杂质消除殆尽,但是,“殆尽”是“接近没
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在半导体电子级的 硅微粉 材料中,由于通常都是先将硅微粉提纯到很高的纯度,比如11个9或者10个9左右,之后再进行摻杂,所以,硅微粉材料中的杂质比较单纯。例如,用来进行生产单晶硅太
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能够提供 硅微粉 施主能级或受主能级的杂质,分别称为施主杂质和受主杂质。施主杂质的典型代表是磷,受主杂质的典型代表是硼。这两种杂质之所以成为最常用的半导体杂质,是因为它们在
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硅,是人类在世界上提得最纯的物质,目前人类能够得到的最纯的 硅微粉 ,纯度可达到16个9,但是,纯硅微粉虽然也有半导体的性质。却是一种没有什么实际用处的半导体。真正要制作能够使
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硅微粉 中到底有什么样的杂质成分能够生产太阳能电池,这个问题还是需要继续做许多试验工作才能够确定,但比较有实际意义的结论是,如果杂质的成分总和小于3ppm, 其中,硼在0.3-0.5,磷
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